1. 功能失效

• 當(dāng)某個(gè)功能點(diǎn)未能實(shí)現(xiàn)時(shí)，這通常是由設(shè)計(jì)方面的原因造成的。一般在設(shè)計(jì)階段前期，會(huì)利用芯片測(cè)試座對(duì)功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證，以此來(lái)確保功能的完整性。通常情況下，設(shè)計(jì)一塊芯片時(shí)，仿真驗(yàn)證環(huán)節(jié)大約會(huì)占據(jù) 80% 的時(shí)間。

2. 性能失效

• 若某個(gè)性能指標(biāo)未能達(dá)到要求，例如 2G 的 CPU 只能達(dá)到 1.5G 的運(yùn)行速度，數(shù)模轉(zhuǎn)換器在規(guī)定的轉(zhuǎn)換速度和帶寬條件下，有效位數(shù) enob 應(yīng)達(dá)到 12 位卻只有 10 位，以及 LNA 的噪聲系數(shù)指標(biāo)不達(dá)標(biāo)等情況。這類問題通常是由兩方面因素導(dǎo)致的：一方面是在前期設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)沒有預(yù)留足夠的余量；另一方面是物理實(shí)現(xiàn)版圖存在缺陷。對(duì)于這類問題，通常采用后仿真的方式進(jìn)行驗(yàn)證，當(dāng)然也少不了配合使用與之匹配的芯片測(cè)試治具。

3. 生產(chǎn)導(dǎo)致的失效

• 這一問題的產(chǎn)生需要提及單晶硅的生產(chǎn)。學(xué)習(xí)過半導(dǎo)體物理的人都知道，單晶硅是規(guī)整的面心立方結(jié)構(gòu)，它具有多個(gè)晶向，通常我們是按照 <111> 晶向進(jìn)行提拉生長(zhǎng)的。然而，由于各種外界因素，比如溫度、提拉速度，以及量子力學(xué)的隨機(jī)性等，在生長(zhǎng)過程中可能會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)位現(xiàn)象，我們將其稱為缺陷。

• 缺陷產(chǎn)生的另一個(gè)原因是離子注入，即使經(jīng)過退火處理也無(wú)法校正過來(lái)的非規(guī)整結(jié)構(gòu)。這些存在于半導(dǎo)體中的問題，會(huì)導(dǎo)致器件失效，進(jìn)而影響整個(gè)芯片。所以，為了在生產(chǎn)之后能夠篩選出失效或者半失效的芯片，在設(shè)計(jì)時(shí)就會(huì)加入專門的測(cè)試電路，例如模擬電路中的 testmux，數(shù)字電路中的 scan chain（用于測(cè)試邏輯）、mbist（用于測(cè)試存儲(chǔ)）、boundry scan（用于測(cè)試 I/O 及綁定）等，以此來(lái)確保交付到客戶手中的芯片都是合格的。而那些失效或半失效的產(chǎn)品，要么被廢棄，要么經(jīng)過處理后作為低端產(chǎn)品出售。

要檢測(cè)出這些芯片失效問題，就必須進(jìn)行芯片測(cè)試，而進(jìn)行測(cè)試必然離不開芯片測(cè)試座。深圳精微測(cè)試科技在芯片測(cè)試座的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用方面擁有深厚的技術(shù)積累和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，主要從事3C產(chǎn)業(yè)連接器彈片針微針模組,半導(dǎo)體IC探針測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域微針測(cè)試設(shè)備的研發(fā)與制造。